パワーデバイス(MOSFET、IGBT)の大電流ONステート試験
直流電源の出力を高速大電流電子負荷により電流制御することで、大電流パルスを利用した パワーデバイスのONステート試験が可能となります。汎用の低価格な直流電源と高速電子負荷を組み合わせることで、比較的低価格で大電流パルスを生成することが可能です。
電子負荷装置は標準装備のブースター機能により複数台接続し、最大5kW, 2025Aまで容量アップして同期運転することができますので、あたかも1台の電子負荷装置として使用することができます。
さらにシステムソースメータと半導体測定統合ソフトウェアによりGate制御、Drain電圧を高精度にサンプリングし、グラフ化することが可能になりました。
電子負荷装置は標準装備のブースター機能により複数台接続し、最大5kW, 2025Aまで容量アップして同期運転することができますので、あたかも1台の電子負荷装置として使用することができます。
さらにシステムソースメータと半導体測定統合ソフトウェアによりGate制御、Drain電圧を高精度にサンプリングし、グラフ化することが可能になりました。
試験システムの構成
製品情報
製品名 | 型名 | メーカー | 特長 |
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システムソースメータ | 2602A | ケースレー インスツルメンツ | 精密電圧源、真の電流源、DMM、 任意波形発生器等内蔵 |
プログラマブル大容量 高効率直流電源 | ADG-Pシリーズ | 計測技術研究所 | 30kW, 50kW |
高速大電流電子負荷装置 | ELL-1005 | 計測技術研究所 | 30V, 405A, 1000W |
本アプリケーションに記載された情報は作成発行当時(発行年月日)のものとなりますので、現行としてシリーズ・機種・型式(オプション含む)が変更(後継含め)及び販売終了品による廃型になっているものが含まれておりますので、予めご了承下さい。
本情報はテストソリューションにおけるDUT(供試体)・JIG及び当社製品のアプリケーション構成フローのご参考としてご覧下さい。
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