2023-03-07 / 最終更新日 : 2023-03-07 pe_admin IGBT バイポーラトランジスタのベースにFETを組み合わせた構造の素子。大電流を小信号の制御電圧でコントロール出来る利点がある。FETに比べスイッチング速度がやや遅いが、あまり高速度スイッチングを必要としないインバータに広く使用されている。 読み方あいじーびーてぃー英語略/英名称IGBT英訳/和訳Insulated gate bipolar transistor図・グラフ―分類部品同義語―反対語―